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高压下 AsH3 的结构和电子性质研究

蔺  何, 刘 晨帆, 程 环环, 蔡 璇璇

摘要

本文利用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了高压下砷化氢的结构和电子性质。在 0-150 GPa 的压力范围内我们得到了 AsH3 的稳定结构 P21。能带结构表明体系的金属化压力为 40 GPa。在 AsH3 的金属化过程中,As 的 4d 轨道起到了关键性作用,As 4d 轨道几乎接收了 H 1s 轨道转移的全部电荷。

关键词

高压;密度泛函理论;结构相变;电子性质

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参考

[1]G.Kresse,J.Furthmüller.Efficient iterative schemes for ab initio total-energy calculations using a plane-wave basis set[J].Phys.Rev.B,1996(54):11169–11186.

[2]J.P.Perdew,K.Burke,M.Ernzerhof.Generalized gradient approximation made simple[J].Phys.Rev.Lett.,1996(77):3865–3868.


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