基于硅技术的微型化片上无源带通滤波器
摘要
本课题基于片上系统的理论学说，重点研究基于硅技术的微型化片上带通滤波器的设计。本文采用七层堆叠金属结构设计了微米级锗硅和互补金属氧化物半导体技术（CMOS）制造的带通滤波器。该带通滤波器的目标是由衬底中的电容器和宽边耦合曲折线谐振器（BCMLR）组成。优化后，该带通滤波器的插入损耗最小为 1 分贝（dB）。
关键词
片上系统；带通滤波器；锗硅；互补金属氧化物半导体（CMOS）；宽边耦合曲折线谐振器（BCMLR）
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PDF参考
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