纯钼表面包埋法制备渗硅层的研究
摘要
在纯钼材料表面通过渗剂（硅粉、活化剂、填充剂）包埋得到二硅化钼或者硼化钼渗层。结果 在相同的 1200℃下，在氯化
铵、氟硼酸钾、氟化钠三种活化剂下得到的渗层厚度差异较大，氯化铵最大且渗层最致密；氟硼酸钾次之；氟化钠最差；
但渗层显微硬度却以氟硼酸钾最好可达 1531.4HV，约为钼基体的 7 倍、氟化钠次之为 1380HV、氯化铵最差 1168.1HV，根
据 XRD 分析知，由于氟硼酸钾为活化剂时，在钼的表面形成二硅化钼的前提下，也有硼化钼的存在。在相同的活化剂氯
化铵条件下，在 1050℃、1200℃、1300℃不同温度下，随着温度的升高，渗层厚度也逐渐增大。在对渗硅试样和纯钼试样
在 650℃条件下进行 5h、72h 的抗氧化实验结果，渗硅试样在氧化前后的质量几乎没有发生任何变化，而纯钼试样出现严
重的氧化现象，5h 前后质量变化 0.012g，72h 后质量变化 0.135g。
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